一 MOS管定義：
MOS，是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。
二 MOS管的分類：
按溝道分類，場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管 ；
按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強型 ；
在實際應(yīng)用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主，所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種 ；
三 MOS選型的主要參數(shù)：
1. BVDSS ：對于不同方案，產(chǎn)品耐壓值方面的選擇有著不同的標(biāo)注與余量，但是從整體來看，無論何種應(yīng)用環(huán)境，其產(chǎn)品耐壓至少應(yīng)留有20%以上的電壓余量；
2. IDSS ：一般情況下，對于應(yīng)用產(chǎn)品不會直接的依據(jù)產(chǎn)品的額定電流進(jìn)行選型，其一：額定電流為25℃下的理想電流值，實際應(yīng)用電流會遠(yuǎn)小于額定電流值。其二：限定產(chǎn)品電流的主要原因為內(nèi)部芯片溫度，溫度越高，電流值越小，所以額定電流值 在一定程度上沒有直接選型價值；
3. RDS (on)）：表示MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時漏極和源極之間的電阻；
4. 總柵極電荷（QG）：表示柵極驅(qū)動器打開/關(guān)閉器件所需的電荷；
5. 品質(zhì)因數(shù)（FoM）：是RDS (on) 和QG的乘積，影響MOSFET的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗；
6. VTH 也是較為重要的一個參數(shù)，在特殊場合，如單節(jié)鋰電池保護(hù)板、磷酸鐵鋰電池太陽能控制器上，要考慮電壓欠壓下產(chǎn)品是否可正常工作，故Vth不得高于1.5V；而高頻電源上，由于頻率與特性影響，一般VTH既不能過低，低于1.5，否則引起柵極振蕩誤導(dǎo)通，又不能過高大于3V，增加開關(guān)損；。
7. Trr 同步整流MOS，其體二極管參數(shù)Trr也是一個較為重要的因素，Trr過大，會導(dǎo)致死區(qū)時間過小，前級高壓管與同步整流MOS同時導(dǎo)通，發(fā)生MOS失效。須特殊方案特殊對待；
8.以及封裝/熱阻依據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境、方案體積、客戶需求進(jìn)行實際選擇，而封裝類型會影響產(chǎn)品熱阻進(jìn)而影響產(chǎn)品實際內(nèi)阻、電流選擇。
四 MOS管的應(yīng)用：
1. 開關(guān)電源中應(yīng)用，主要做能量轉(zhuǎn)換和電壓調(diào)節(jié);
2. MOS管用作模擬開關(guān)通過調(diào)節(jié)通過對柵極電壓調(diào)節(jié)控制通斷狀態(tài)，實現(xiàn)模擬信號的開關(guān)選擇;
3. 數(shù)字邏輯：MOS管在數(shù)字電路中廣泛應(yīng)用，例如作為邏輯門、存儲器單元等;
4. MOS管可以用作開關(guān)，通過調(diào)節(jié)柵極電壓來控制通斷狀態(tài)。這在數(shù)字電路、電源管理、電機驅(qū)動等方面非常常見。
瞬雷電子作為專業(yè)的MOS管生產(chǎn)廠家，有各種規(guī)格的MOS可供選擇。
包括SOT-23、SOT23-6、SOT323、SOT523、SOT723及DFN3X3、DFN5X6、T0-252、TO-263、TO-247 等系列封裝。
還有經(jīng)過AEC-Q101認(rèn)證的車規(guī)級MOS管專用于車載客戶。