一，基礎(chǔ)常識(shí)點(diǎn)：
我們都知道MOS管的帶載能力與漏源電流和內(nèi)阻有關(guān)，漏源電流越大，內(nèi)阻越小，帶載能力越強(qiáng)。
二，MOS導(dǎo)通后的等效電路如下：
MOSFET導(dǎo)通之后，近似如左圖的電阻Rds(on),vcc→Rds(on)→RL→GND;根據(jù)電阻分壓，電壓跟電阻成正比，所以內(nèi)阻越小，分壓越小，而后端帶負(fù)載的電壓越高，負(fù)載的功率越大；同時(shí)MOS管的內(nèi)阻越小，自身功耗也越低。若是內(nèi)阻過大會(huì)導(dǎo)致管子的功耗過大，MOS管更易發(fā)熱，壽命更短。所以通常會(huì)選擇內(nèi)阻較小的MOS管，帶載能力也更強(qiáng)。
三，增強(qiáng)管子的負(fù)載能力的方案：
除了選擇本身漏源電流比較大的MOS管之外，可以采用多個(gè)MOS管并聯(lián)的方式，并聯(lián)時(shí)，各個(gè)MOS管的內(nèi)阻也是并聯(lián)的，并聯(lián)之后的內(nèi)阻就減小，可以驅(qū)動(dòng)更大的負(fù)載。一般來說大功率功放選擇MOSFET管，因其內(nèi)阻更?。蝗绻?fù)載內(nèi)阻小了，那么如果放大器的輸出阻抗不變的話，放大器的末級(jí)管子分的電壓比例就會(huì)上升，所以現(xiàn)在的音響都選擇有低內(nèi)阻的MOS管，才得以向小阻抗的負(fù)載發(fā)展，以得到更好的動(dòng)態(tài)效果。
四，MOS管的VGS閾值電壓：
一般我們看手冊(cè)上參數(shù)來選擇合適的MOS管：
五，關(guān)于我司MOS管型號(hào)推薦：
瞬雷電子作為專業(yè)的MOS生產(chǎn)廠家，擁有各種型號(hào)及封裝的MOS管可供廣大客戶選擇；主要生產(chǎn)增強(qiáng)型150V電壓以內(nèi)MOS管，封裝包含DFN1006-3，DFN26S、PDFN3030、PDFN5060、SOP8、SOT-23、TO-252等多種封裝。同時(shí)部分MOS有經(jīng)過車規(guī)AEC-Q101認(rèn)證，滿足車載客戶使用需求。
以下是TO-252封裝MOS型號(hào)參數(shù)；
可以看到除了常規(guī)工業(yè)級(jí)MOS，還有做專門的車規(guī)級(jí)MOS，在型號(hào)名稱后面加后綴-AU用來區(qū)分。
