一、三極管損壞常見因素
1、功率擊穿或過載擊穿
指電路中的電壓、電流、功率等過大導(dǎo)致三極管擊穿損壞，主要與集電極-發(fā)射極電壓VCEO、集電極-基極電壓VCBO、集電極-發(fā)射極電流IC、基極驅(qū)動(dòng)電流IB等參數(shù)有關(guān)。只要電路中這些參數(shù)超過三極管的最大參數(shù)都可能發(fā)生三極管擊穿現(xiàn)象。
2、熱擊穿
三極管規(guī)格書所標(biāo)注的參數(shù)，通常是常溫25℃狀態(tài)下的值，而三極管在高溫環(huán)境或高結(jié)溫狀態(tài)下工作時(shí)，VCEO和VCBO都會(huì)隨溫度升高而下降，同時(shí)三極管發(fā)射極-基極漏流IEBO和集電極-基極漏流ICBO也會(huì)增加，而IEBO與ICBO的增加造成芯片結(jié)溫上升，以此形成反復(fù)的疊加循環(huán)，結(jié)溫持續(xù)升高，最終導(dǎo)致熱擊穿發(fā)生。
3、外因產(chǎn)生的損壞
①、機(jī)械應(yīng)力損傷：受外力如碰撞、振動(dòng)（如鎖螺絲）、跌落等導(dǎo)致三極管破損、分層、芯片晶裂等損傷，工作時(shí)因損傷造成IEBO與ICBO上升，最終發(fā)生熱擊穿。
②、熱應(yīng)力損傷：三極管焊接或固定位置因高溫發(fā)生PCB變形、散熱片高溫變形、三極管封裝內(nèi)部的框架高溫變形、內(nèi)部連接結(jié)構(gòu)高溫變形等，引起芯片表面壓力、扭曲力、張力等發(fā)生變化，同樣會(huì)發(fā)生三極管漏流IEBO和ICBO等上升，最終發(fā)生熱擊穿。
③、三極管所在環(huán)境濕度上升、表面粉塵堆積吸濕性增加、化學(xué)品腐蝕等都會(huì)發(fā)生漏流增大的情況，最終損壞三極管。
二、三極管選型技巧
1、開關(guān)電路中，三極管選型偏向IC大，飽和壓降VCE(sat)小，而擊穿電壓VCEO和VCBO可適當(dāng)放寬，由于在硅半導(dǎo)體中，電壓與電流是一組相矛盾的參數(shù)，優(yōu)先電流必犧牲電壓，兩全其美必會(huì)增加成本。同時(shí)除了選好的三極管，電路中也要注意：IC電流不變時(shí)，增加IB，IB不變時(shí)，減小IC，可以使三極管快速飽和（開）和關(guān)斷，避免關(guān)不斷的情況發(fā)生。
2、高壓電路中，為延長三極管壽命，除了電壓滿足電路需求以外，重點(diǎn)關(guān)注漏流IEBO和ICBO要小，熱穩(wěn)定性要高（在不同溫度條件下漏流變化小）。
3、放大電路中，主要考慮放大倍數(shù)HFE輸出線性要好（IB與IC間的關(guān)系呈線性），工作區(qū)寬（IB與IC間呈線性關(guān)系的范圍大）。
4、高頻電路中，主要考慮FT特征頻率，同時(shí)必須與線路板匹配，三極管周邊的電容、電感等都可能影響三極管的頻率特性。
5、功率放大電路中、除電性參數(shù)滿足要求以外，還要考慮散熱性能，盡量選用大體積封裝、可以外加散熱片結(jié)構(gòu)、三極管安裝位置和放置空間大通風(fēng)好。以便減小溫度對(duì)三極管的影響。