MOS同步整流以其低功耗、高效率特性深受電源設(shè)計人員的青睞，但對于廣大半導體人員來說，了解MOS同步整流的特點和應(yīng)用場景，可以更好的服務(wù)于客戶，下面以下MOS同步整流和非同步整流三個方面的差異來進行說明。
一、傳統(tǒng)非同步整流二極管或肖特基與MOS的最大的區(qū)別一：導通壓降的差異。 1、以硅基材料二極管或肖特基為例，其單向?qū)▔航导s0.7V左右，并隨通流上升，導通壓降也在增大，功耗升高，以5V快充為例： ①、充電電壓為5V，充電電流為1A時，整流二極管或肖特基的壓降為0.7V,根據(jù)歐姆定律，可以得出整流器件的： 功耗PD=IU=1X0.7=0.7W， 輸出功率P=IU=5X1=5W， 功耗比 =PD/P X100%=0.7/5*100%=14%. ②、充電電壓為5V，充電電流為10A時，整流二極管或肖特基的壓降為1.2V,根據(jù)歐姆定律，可以得出整流器件的： 功耗PD=IU=10X1.2=12W， 輸出功率P=IU=10X5=50W， 功耗比 =PD/P*100%=12/50*100%=24%. 2、而硅基材的MOS導通壓降與MOS導通內(nèi)阻RDSON有關(guān)，RDSON越小導通壓降越小，以30mR的導通內(nèi)阻的MOS為例（實際同步整流所用MOS的導通內(nèi)阻遠小于30mR)： ①、充電電壓為5V，快充充電電流10A時，其導通壓降約0.3V， MOS功耗PQ=IU=10*0.3=3W， 輸出功率相同P=IU=10*5=50W。 功耗比 =PQ/P*100%=3/50*100%=6% 通過以上案例，可以看出，即使選用一般的MOS同步整流功耗也僅為二極管整流功耗的1/4.使用更低導通內(nèi)阻的MOS，功耗的差異更加明顯。
未完待續(xù)...