二、傳統(tǒng)非同步整流二極管（含肖特基)與MOS的最大的區(qū)別二：導通方式不同。
1、二極管（含肖特基）導通需要依靠作用于二極管本身的電壓上升到二極管的導通閥值時，二極管才導通，但開關(guān)變壓器輸出的電壓波形，電壓從0到二極管開啟閥值都有一個上升時間，達到二極管的導通電壓閥值后，輸出電流由低到高變化，一個周期結(jié)束，電壓從高電平下降到二極管的關(guān)閉閥值又是一個下降時間，輸出電流由高到低，而這個而二極管導通前關(guān)閉后的時間內(nèi)電流是無輸出的，這也又是二極管（含肖特基）整流的一個主要功耗。簡單來講，二極管（含肖特基）靠電壓驅(qū)動導通的閥門，而在閥門開前關(guān)后時間內(nèi)無電流輸出是無效功率，是損耗。
2、MOS導通卻由控制芯片完成，交流脈沖電壓來到MOS門前，芯片控制MOS的導通與脈沖周期時間同步，電流直接經(jīng)MOS輸出，減少MOS開啟和關(guān)閉的過程中電平上升和下降的時間，整個周期內(nèi)輸出相同，損耗較小。
通過兩者的導通方式對比，通俗來講，二極管整流相當于人走到門前，需要自已打開門通過后再把門關(guān)上，耗時費力；而MOS同步整流相當于人走到門前，別人已經(jīng)把門打開，通過后別人再把門關(guān)上，完全不需要自已動手，省時省力。
三、傳統(tǒng)非同步整流二極管（含肖特基)與MOS的最大的區(qū)別三：電路結(jié)構(gòu)不同。
1、MOS同步整流電路相比二極管（含肖特基）整流電路要復雜得多，除控制芯片以外，還有其它器件輔助，成本較高。
2、由于同步整流電路相對比較復雜，影響其工作穩(wěn)定性的因素相對較多，一旦控制芯片輸出信號延時等，就會出現(xiàn)時序混亂，必影響輸出，所以穩(wěn)定性相對較差。
綜上所述，在高壓輸出整流電路中，由于其占空比高，二極管（含肖特基）整流與MOS同步整流的功耗差異較非常小，通常選低成本和穩(wěn)定性高的的二極管（含肖特基）整流。而在低壓大電流整流電路中（充電類電路），由于其占空比低，MOS同步整流功耗低效率高的優(yōu)勢十分明顯，如PD快充、充電樁、新能源儲能等領(lǐng)域應(yīng)用十分廣泛。
